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敦南科技(Lite-on Semiconductor)参加国际积体电路研讨会暨展览会(IIC-China)，展出一系列针对快速、无线至智慧充电器需求打造的薄型化与高效率产品组合，包括新一代薄型整流桥接器 M2 结合低损耗的沟槽式薄型萧特基元件 F5 、针对高效率市场推出的碳化矽(SiC)与 PFC 组合以及行动电源与无线充电等电源管理解决方案。

敦南在IIC展出的产品中以入围IIC Best Product Award的 M2+F5 配接器电源管理解决方案最受瞩目。该方案采用最新沟槽式制程技术和新的超薄 SMD 封装，可提供由25W至65W的宽广电源输出功率，轻薄短小的设计节省空间，可容纳更多的规格和功能，而宽广的应用范围可简化库存管理并降低仓库空间需求。

M2+F5配接器组合

该方案包括一颗M2 (Mini GPP Bridge)及1颗F5 (Schottky)的组合。 GPP Bridge是电源供应器中第一颗电流通过的分离式元件，也是唯一具备将交流转直流电功能的功率分离式元件。 M2 整流器采用最新沟槽式设计制程及高密度封装技术，规格从1.5A、2.0A到2.2A，M2在交流转直流有高达87.6%的转换率。 M2封装面积及厚度较先前产品分别减少约60%及58%，提供研发工程师更多弹性设计空间及更时尚的产业造型。

此外， F5 特殊的设计在同等面积的情况增加了8%的散热面积，在工作时热度可降低5~10%，因此可提高产品运作稳定性及增加使用寿命。 F5 的脚位采标准设计，免去重新设计时间及更换成本。 M2+F5 宽广的应用范围可供多种终端机共享的好处，简化了消费者充电的需要，也大幅减化经销商库存管理的困扰。

M2+F5 配接器电源管理解决方案适用范围包括智慧型手机、视讯转换盒、平板、笔电及个人电脑等电源供应器等，是体积最轻薄、终端应用最广泛的方案 ，可作为设计新世代智慧型充电器的最佳选择。

高阶沟槽萧特基元件

敦南科技新型增强型沟槽式萧特基(Trench Schottky)整流器系列元件，具5A至40A的额定电流，45V至200V的 耐电压。这些元件可提供更小的体积、更有效的性能，同时减少对散热装置的需求。新式沟槽式萧特基结构在沟渠底部使用相反参杂的离子植入将沟渠底部包覆形成一个相反参杂的区域，在不影响顺向特性的情况之下，明显降低逆向漏电，能减少热损耗，提高效率。

沟槽式萧特基比传统的平面萧特基(Planar Schottky)具有更低的正向电压降(Low V F)和反向漏电流(Lower IR)的改善，也提供了更好的反向能量吸收能力(Reverse better energy absorption capacity)，同时保持相当的开关特性，所以沟槽式萧特基在相同的额定功率下能有更高的结温能力(TJ MAX)。

   

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